功率半导体领域加快发展步伐,中国功率半导体有望迎来黄金期

日期:2014-02-17

 
功率半导体是节能减排的关键技术和基础技术,被大量应用于消费类电子、新能源汽车、光伏发电、风电、工业控制和国防装备。2013 年以来我国大部分地区雾霾天气频发,在这种背景下,大规模使用功率半导体来提高能源效率、促进节能减排,也成为半导体行业发展的重要方向。
去年,SiC及GaN等新一代功率半导体器件发展迅速,国内外厂商开始大范围涉足该领域,预计2014年,功率半导体的热点将继续发散开来。
与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的应用逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
在SiC功率半导体方面,栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型,尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一,因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后,采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量,有助于削减成本。
从国内看,在节能核心技术获国家扶持的前提下,功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。随着全球空调、节能电机等电子产品产能向国内转移,功率半导体的需求也成倍的增加,仅IGBT产品的需求规模已经超过100亿元,并且国内已经出现格力电器等消费IGBT模块超过10亿元的企业,我国已成为全球最大的功率半导体器件消费市场。
 
值此新春之际,预祝读者马年心想事成,万事如意!

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