在近日举办的上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（PCIM Asia）上，罗姆集中呈现了其在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域领先的产品布局与技术创新，重点聚焦工业设备与汽车电子两大应用场景。展会期间，罗姆还举办了专题技术研讨会，向业界分享了其新的电力电子解决方案与发展趋势。
作为以碳化硅技术为核心的功率元器件领导企业，罗姆凭借先进的SiC芯片技术，结合能够充分发挥其性能的控制IC与模块设计，持续为工业与汽车客户提供高效、紧凑的电源解决方案，助力相关设备实现节能化和小型化。
为应对快速变化的中国市场需求，罗姆此次特别展示了以“车载、工业+Power Eco Family”为主题的多款产品和系统解决方案。

Power Eco Family品牌理念：共创高效功率生态
“Power Eco Family”是罗姆整合旗下四大核心功率器件产品群——EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™与EcoMOS™的品牌理念。该品牌致力于通过先进的半导体技术，推动终端应用的节能化与小型化，从而助力降低全球能耗与资源使用。
在本次2025 PCIM Asia Shanghai展会上，罗姆通过现场演示、实际应用案例及便捷的评估工具，生动展示了“Power Eco Family”各系列产品如何协同工作，为实现更高的功率密度、系统效率及小型化目标提供完整解决方案，并与业界伙伴共同构建面向未来的高效功率生态系统。

EcoSiC™：强大SiC阵容为高效能源转换赋能
自2020年成功开发以来，罗姆第四代SiC MOSFET一直是其碳化硅产品的“硬核”，不断推动功率半导体的性能边界。该产品在提升短路耐受能力的同时，实现了行业领先的超低开关损耗与导通电阻，目前除可提供裸芯片外，也已推出分立封装版本，广泛应用于车载逆变器及各类开关电源，显著助力系统实现小型化与高效化。现场众多模块展品均基于此技术平台开发，具备高度适配目标应用的定制化特性。



据了解，通过进一步优化罗姆自有的双沟槽结构，第四代SiC MOSFET在维持优异短路耐受能力的基础上，将导通电阻较前代产品降低约40%，树立了当前SiC MOSFET在低导通电阻方面的行业标杆。
通过大幅削减栅漏电容（Cgd），第四代SiC MOSFET成功将开关损耗降低约50%，有助于提高系统频率与功率密度，为高能效应用提供支持。
另外，在保留对18V栅源驱动电压（Vgs）支持的同时，第四代SiC MOSFET新增对15V Vgs的兼容，使其可与IGBT共用驱动电路，降低系统设计复杂度并提高兼容性。
罗姆第四代SiC MOSFET的典型应用场景包括：电动汽车牵引逆变器、车载充电器（OBC）、车载DC-DC转换器、光伏逆变器与储能系统，以及工业电源、电机驱动与AC伺服系统等。



·车载应用
在车载应用方面，本次展出的新型二合一SiC塑封模块TRCDRIVE pack™，内置罗姆第四代SiC MOSFET，专为电动汽车牵引逆变器设计，实现了业界领先的超高功率密度。该模块采用罗姆自有引脚排列与散热结构，有效扩大了散热面积，在紧凑封装内实现功率密度达普通SiC模块的1.5倍，有力支持牵引逆变器在小型化、效率提升与组装工时减少等方面的核心需求。



TRCDRIVE pack™模块顶部配备“Press fit pin”式控制信号引脚，仅需从上方压入栅极驱动器电路板即可完成连接，大幅简化安装流程。同时，通过优化主电流路径设计并采用双层布线结构，模块电感值降至5.7nH，有助于降低开关损耗，进一步提升系统能效。
另一款HSDIP20系列SiC塑封模块采用四合一及六合一结构，专为xEV车载充电器（OBC）中的PFC电路和LLC转换器等应用开发。该系列提供750V与1200V两种耐压规格，通过将关键功率电路高度集成于紧凑模块中，显著减少客户设计周期，并有力支持OBC等系统实现小型化与高效率。



HSDIP20模块采用高性能绝缘基板，散热表现优异。在典型OBC的PFC电路测试中，相较六颗分立式SiC MOSFET，它在同等功率下芯片温度降低约38℃，展现出卓越的温升控制能力。模块在保持小尺寸的同时，电流密度达到顶部散热型分立器件的3倍以上，及同类DIP模块的1.4倍以上，处于行业领先水平。
近年来，基于TO-247封装的分立式SiC MOSFET技术持续发展，为应对工业设备和汽车电子对功率密度与设计灵活性的更高要求，罗姆也展示了一款这样的新型SiC塑封模块DOT-247,新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品，计划于2025年10月开始提供样品。

·工业应用
罗姆展示的AC/DC转换器IC BM2SCQ12xT-LBZ，将1700V高耐压SiC MOSFET与控制电路集成于单一封装，专为交流400V供电的工业设备（如大功率通用逆变器、AC伺服、工业空调等）的辅助电源而优化。它有效解决了分立结构的设计难题，助力工业设备客户轻松实现辅助电源在小型化、高可靠性与节能化方面的显著提升。
与传统分立方案相比，这个一体化设计将约12个分立部件与散热板集成为1个产品，显著减少了元件数量与故障风险，并大幅缩短了采用SiC技术的开发周期。其在提升系统可靠性与简化设计的同时，实现了优异的节能效果：与罗姆前代产品相比，功率转换效率提升高达5%（按功率损耗计算则降低28%）。



新型1700V/250A全SiC功率模块BSM250D17P2E004，专为户外发电系统、充放电测试仪等工业设备的逆变器与转换器设计。该产品在高温高湿等严苛环境下具备高可靠性，有效满足了工业应用对高电压、高效率的需求。该模块为高电压工业电源提供了一种更高效、可靠的SiC解决方案，有力推动了相关设备的性能升级。
罗姆还专门为一些工业应用开发了参考设计，如覆盖45W至5.5kW的全系列GaN参考设计，适用于紧凑型适配器、图腾柱PFC及服务器电源等工业场景。同时，搭载罗姆新型2kV SiC MOSFET的赛米控丹佛斯SEMITRANS® 20模块，已成功应用于SMA Solar Technology AG的新型太阳能系统“Sunny Central FLEX”中。
罗姆展出的通用树形相位逆变器评估套件BST7OT2P4K01-EVK-001集成了电源和反馈级，用于使用紧凑型HSDIP20封装驱动交流电机或其他三相应用。内置组件包括SiC电源模块、栅极驱动电路、直流链路电容器和空气强制散热器。




EcoGaN™：高能效与小体积并举
作为功率半导体领域的创新者，罗姆拥有深厚的技术积淀，曾率先在全球实现SiC MOSFET的量产。面对持续增长的市场需求，公司正积极拓展产品边界，已将备受关注的下一代半导体GaN相关产品投入量产。
EcoGaN™是罗姆推出的高性能GaN器件品牌，通过充分发挥氮化镓材料的优势，助力终端产品显著提升能效并缩小体积。该系列不仅提供GaN HEMT单管，还包括集成控制器的GaN IC等完整解决方案，可有效降低系统功耗、减少外围元件数量与设计工时，为实现设备的高效化与小型化提供有力支持。
罗姆EcoGaN™ Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB集成了650V GaN HEMT与专用驱动器，可直接替换现有硅基MOSFET。该器件支持2.5V至30V宽驱动电压，兼容性强，与Si MOSFET相比，可将功率损耗降低约55%，同时使器件体积大幅缩减约99%，显著助力服务器、AC适配器等电源系统实现高效化与超小型化。



GNP2050TEC-Z则是EcoGaN™系列中一款650V GaN HEMT，实现了业界更高级别的FOM。通过充分利用低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换效率和减小尺寸。内置ESD保护功能，实现高可靠性设计。此外，高度通用的封装具有出色的散热性能，便于安装。
同时，罗姆还展示了GaN电源解决方案、250W紧凑型PFC、350W图腾极PFC评估套件等。

EcoIGBT™：彰显性价比优势
罗姆认为，在当前大功率及对成本敏感的应用中，IGBT仍具有显著的性价比优势，其市场需求将持续增长。为此，公司正积极推进相关技术开发。EcoIGBT™就是罗姆推出的IGBT产品品牌，涵盖分立器件与模块，具备优异的耐压性能，专为满足高耐压应用需求而设计。
本次展出的罗姆第4代1200V IGBT符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101，面向车载电动压缩机、HV加热器及工业逆变器等应用。该产品通过优化器件与外围结构，在满足高耐压与车规可靠性的同时，实现了业界领先的10µs（Tj=25℃）短路耐受能力，并具备超低的开关与导通损耗。产品采用4引脚TO-247-4L封装，增大的引脚爬电距离使其可在污染等级2级环境中支持高达1100V的有效电压，比以往产品适用于更高电压的应用场景。



罗姆还展示了新款100V耐压高效率SBD。该产品采用沟槽MOSFET结构，兼具低正向压降与低漏电流特性，实现了更高效率及高温工况下的稳定工作。产品阵容覆盖小尺寸至大电流封装，车载级产品符合AEC-Q101标准，可满足多样化的电源模块应用需求。

EcoMOS™：精准匹配多元应用需求
EcoMOS™是罗姆在功率器件领域开发的硅功率MOSFET品牌，专为满足节能需求的应用而设计。EcoMOS™广泛应用于家电、工业设备、车载等多种应用领域，拥有丰富的产品阵容，可根据噪声性能、开关性能等多种参数，满足不同用途的产品选择需求。
罗姆带来的新产品RS6xxxxBx/RH6xxxxBx系列功率器件，采用先进微细化工艺与铜夹片封装（HSOP8/HSMT8），实现了业界领先的2.1mΩ超低导通电阻，较以往产品降低50%。通过优化栅极结构，栅漏电荷（Qgd）亦减少约40，显著降低开关与导通损耗。实测显示，其在工业电源评估中峰值效率高达约95%，适用于通信基站、服务器电源、工业与消费电子设备的电机驱动等高效率应用场景。



罗姆展示的车载第六代沟槽/第五代沟槽MOSFET系列（AGxxxH7/AGxxxS4），符合AEC-Q101标准，具备业界优异的低导通电阻，且100%通过雪崩耐量测试，可靠性卓越。该系列产品专为鼓风电机、发动机ECU燃油喷射、各类车载电机及ADAS系统等严苛应用而设计。



写在最后
本次2025 PCIM Asia Shanghai展会，罗姆全面展示了以“Power Eco Family”为理念的四大产品家族——EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™ 与 EcoMOS™，凸显了其在功率半导体领域深厚的技术布局。从实现超高功率密度的新一代SiC与GaN模块，到符合车规级高可靠要求的IGBT与MOSFET，罗姆致力于为工业与汽车电子客户提供高效、小型化且高可靠的全方位解决方案。
值得一提的是，罗姆在展台重要位置陈列了多家客户的量产设计方案，这些成果均基于上述核心产品，充分体现了罗姆与终端厂商的深度协同创新，标志着其技术已在实际应用中结出硕果，正持续推动电力电子技术向更高效率与更高密度发展。