在2025年PCIM Asia上海展上，英飞凌作为特邀赞助商强势登场，集中展示了其覆盖硅基与宽禁带半导体的全系列功率解决方案。展品涵盖碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、IGBT、驱动器及逆变器等全系产品线，技术应用深度布局光储充、风电、人工智能数据中心、电动汽车、轨道交通等核心领域，凸显了其在推动能源低碳化与产业数字化方面的综合实力。
英飞凌特别设置了四大主题展区：绿色能源展区、硅及宽禁带展区、电动化出行展区和赋能AI展区。依托深厚的技术积累和对行业需求的深刻洞察，英飞凌致力于通过创新的功率半导体解决方案，持续助力客户应对能源效率挑战，驱动行业的绿色转型与数字化升级。


2025上海国际电力元件、可再生能源管理展览会英飞凌展台

绿色能源：先进功率器件赋能系统创新

在绿色能源展区，英飞凌展示了适用于风电、光伏、储能、轨道交通等多个电力电子应用场景的功率半导体产品及模组。在众多的产品型号中，英飞凌IMYR140R011M2H是一款1400V/11mΩ的CoolSiC™ MOSFET G2分立器件，它采用TO-247-4 Reflow封装形式及背板回流焊工艺。该产品专为高输出功率应用设计，能显著提升系统功率密度、输出功率与整体效率。
其第二代SiC技术结合可承受3次回流焊的封装，改善了热性能与可靠性，并具备优异的鲁棒性，能有效应对雪崩、瞬时过载及米勒效应等挑战，同时支持简便的并联设计。产品广泛适用于电池储能系统、光伏、电动汽车充电桩及通用电机驱动等领域。


采用TO-247-4 Reflow 封装的新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET G2分立器件（1200V/53mΩ）涵盖不同的产品型号，分别采用TO-247-4-HC、TO-247-4 IMZA、TO-263-7以及Q-DPAK单开关和双半桥等多种封装形式，具备出色的安装兼容性，可便捷替换升级现有设计。该产品为储能系统、通用变频器、电动汽车充电及不间断电源等应用提供了高性价比、高效率、高可靠性且更紧凑的先进解决方案。
总之，英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2 1200V和1400V的多种封装组合,有利于客户实现系统设计的创新。

硅及宽禁带：前瞻技术驱动能效革新

在硅及宽禁带展区，英飞凌首次将2025年最新碳化硅产品及氮化镓家族系列产品做了集合展示。
英飞凌展出了汽车级CIPOS™ Maxi碳化硅智能功率模块，这也是全球首款1200V三相碳化硅智能功率模块，专为空调压缩机、高压冷却风机、高压水泵/油泵等电机控制系统设计。该模块采用DIP 36x23D封装，集成1200V CoolSiC™ MOSFET G2技术与高可靠性的1200V C5SOI驱动芯片，具备功率密度高、热传导性能优异等特点，支持12kW以上功率输出，可在有限安装空间内实现系统能效的显著提升。


英飞凌汽车级CIPOS™ Maxi碳化硅智能功率模块

该模块内置完善的保护功能，包括过流关断、欠压锁定、交叉传导防护及NTC温度检测，同时提供可编程故障清除时序与使能输入，兼具高功率密度与优异散热性能，适用于工业驱动设备、HVAC（暖通空调系统）、有源滤波器、点击控制等对紧凑性与可靠性要求严苛的应用场景。
英飞凌碳化硅全线新品也在展会上集体亮相，包括业内首款CoolSiC™ MOSFET Easy 2C系列1200V碳化硅模块，CoolSiC™ MOSFET XHP™ 2 2300V/3300V碳化硅模块，CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3 1200V 1.4mΩ碳化硅板桥模块，以及最新CoolSiC™ MOSFET G2 1200V和1400V碳化硅分立器件产品组合，全面呈现英飞凌在宽禁带半导体技术领域的领先布局与创新实力。

 
英飞凌2025年度 CoolSiC™ MOSFET碳化硅模块新品
 
现场展示的英飞凌CoolGaN™氮化镓全家族产品，电压覆盖范围从60V到800V，提供多种封装选择。CoolGaN™ BDS 双向开关利用同一漂移区实现双向耐压与电流控制，简化了其拓扑结构；而高度集成的 CoolGaN™ Drive 模块，则融合了GaN晶体管、智能栅极驱动器与电流感应功能，为高频、高效电源设计树立了新典范。同时，依托全球首批300mm氮化镓晶圆产线，产能跃升带来持续供应与成本优势，让设计选型“有料可挑、好而不贵”。
据了解，英飞凌的高压CoolGaN™ 双向开关包含真正的常关单片GaN双向开关,有四种操作模式。每个器件都有两个带有衬底端子和独立隔离控制的独立栅极,从而允许采用共漏极配置，利用相同的漂移区来阻止两个方向的电压和电流。
高压CoolGaN™晶体管凭借其卓越的开关速度，可在广泛的应用中实现高功率密度、减少能量损失并提高效率。这意味着设计师可以创建更小、更轻、更紧凑且性能更高的系统。


英飞凌氮化镓全家族产品

其中低压CoolGaN™ 双向开关符合JEDEC认证，非常适合智能手机USB端口的过压保护（OVP）,也可用作消费电子产品中的电池断路开关。与传统的硅基解决方案相比，40V GaN双向开关采用更小的封装，节省了宝贵的PCB空间，同时将功率损耗降低50%以上。
与传统Si开关相比，中低压CoolGaN™ 晶体管具有更高的热导率，从而可以实现更好的散热并提高可靠性。CoolGaN™ 晶体管设计坚固耐用，可承受高电压尖峰并确保更长的使用寿命。
此外，中低压CoolGaN™ 集成驱动产品系列基于CoolGaN™ 晶体管技术，并通过将其与智能栅极驱动器结合为设计带来额外的优势。该解决方案包括单开关和半桥集成驱动器选项，可满足各种需求。

电动化出行：构建更智能、更高效未来驾乘体验

在电动化出行展区，英飞凌展示了多款车规级IGBT及功率器件模组及封装。针对电动化出行的新一代嵌入式碳化硅解决方案可助力提升整车能效，并降低电池配置成本，为下一代电驱系统提供更高效率、更高集成度的方案。
英飞凌展出的面向48V线控转向系统的电子控制器全套解决方案，精准应对下一代智能转向系统对空间、能效及功能安全的严苛要求。作为安全关键系统，线控转向需确保最高水平的转向可用性，英飞凌通过提供高度可靠的电机控制芯片组，实现了硬件与软件的无缝集成，助力客户快速开发。


英飞凌48V线控转向系统电子控制器

该方案充分挖掘48V架构作为电动汽车第三电压轨的潜力，可有效降低系统成本并减轻线束重量。英飞凌同时提供基于硅、碳化硅和氮化镓技术的定制化48V-12V DC-DC转换器解决方案，为系统提供包含微控制器、电源IC、栅极驱动器及高功率MOSFET在内的完整产品组合，支持多相双向降压及开关槽转换器等拓扑，全面赋能下一代电动出行平台的电气化升级。

赋能AI：“从电网到核心”

在赋能AI展区，英飞凌与产业链上下游共同定义AI服务器供电架构的演进，并率先推出“从电网到核心”各级供电方案。
英飞凌展出赋能AI“从电网到核心”全链路方案，现场分享 AI 服务器电源架构演进趋势，聚焦 AC-DC PSU 及其后的 DC-DC 转换单元（IBC），并带来对应的英飞凌一站式半导体解决方案。


英飞凌为AI与数据中心电源架构提供的全链路高性能解决方案

具体来看，英飞凌为AI与数据中心电源架构提供的全链路高性能解决方案，覆盖从输入到计算核心的各级供电需求。在电源供应单元（PSU）层面，可提供基于硅、碳化硅和氮化镓技术的8kW高功率密度方案选择，满足高效率与高可靠性要求。电池备份单元（BBU）则提供4kW解决方案，确保持续稳定供电。
在关键的保护与控制环节，下一代宽输入电压热插拔控制器XDP710-002具备可编程数字安全操作区（SOA）控制功能，尤其适合AI服务器等高要求应用。DC-DC转换部分，高度集成且可编程的XDP™ 数字电源控制器支持多种隔离与非隔离拓扑，为系统提供灵活的先进电源控制。
为实现直达计算核心的供电，新一代OptiMOS™ TDM2454xx高密度功率模块实现了真正的垂直供电（VPD），其电流密度达到行业领先的2安培/平方毫米，将在满足AI及高性能计算芯片的极致功耗与空间要求中发挥关键作用。这一完整方案组合彰显了英飞凌在高端计算电源领域的全面技术布局与领先优势。
另外，本次PCIM展台英飞凌联合了艾睿电子、安富利、品佳、晶川电子等厂商，特设合作代理商伙伴展示区。今年适逢英飞凌在华三十周年，展台还特设了英飞凌在华三十周年历史墙。

写在最后

英飞凌在本次PCIM Asia展会上全面展示了其作为功率半导体领导者的技术实力与前瞻布局。展会以“绿色能源”、“硅及宽禁带”、“ 电动化出行”和“赋能AI”四大主题展区为核心，系统呈现了从硅基器件到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体的全系列创新解决方案。
重点展品包括全球首款1200V CIPOS™ Maxi三相全碳化硅智能功率模块、面向48V线控转向系统的完整解决方案，以及针对AI数据中心的高密度供电模块等。这些产品凸显了英飞凌在提升能效、功率密度和系统可靠性方面的持续突破，充分体现了公司推动能源低碳化和产业数字化发展的技术承诺与产业洞察。