英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司（TWSE：6412）和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议，共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。群光电能科技是一家成熟的电力电子系统整体解决方案提供商，专注于各种应用的电源和适配器，包括笔记本电脑、台式电脑、游戏设备和服务器/云解决方案。剑桥大学高压微电子和传感器 (HVMS) 小组负责人 Florin Udrea 教授将代表 CUTS 担任首席顾问。剑桥大学的 HVMS 小组在功率器件设计、TCAD 仿真和功率器件表征方面拥有 25 年的历史。三方将围绕一个名为“采用先进 GaN 解决方案的创新低功率和高功率 SMPS（开关模式电源）”的技术项目展开合作。


  
CGD 首席执行官 Giorgia Longobardi 和首席技术官 Florin Udrea 与剑桥大学渊源深厚，Florin Udrea 仍是 HVMS 小组负责人，因此 CGD 与剑桥大学有着悠久且紧密的联系。群光电能科技是处于技术创新前沿的开关模式电源领域的全球领先企业，剑桥大学的 HVMS 小组以其在功率半导体器件方面的研究和创新而闻名。因此，这次合作代表着囊括系统和应用、研究和设备方面专业知识的重要 GaN 生态系统的成立。该项目预计将为笔记本电脑提供高效、高密度适配器（群光电能科技是该领域的市场领导者）的 SMPS 原型，以及 Titanium+ 效率/高功率密度（> 100W/立方英寸）CRPS 和 OCP 电源架 (3k ~ 6kW) 电源单元，以用于数据中心和人工智能服务器应用。

Giorgia Longobardi | CGD 首席执行官

群光电能科技是全球领先的 SMPS 制造商之一，因此该协议代表了 CGD 在为客户和整个社会提供高效功率器件技术的历程中将再次取得一项了不起的成就。我们的业务与剑桥大学世界知名的 HVMS 小组的强势联合，将加速高能量密度电源解决方案在广泛应用中的开发和采用。 

曾国华 | 群光电能科技总裁

  
最近，CGD 推出了第二代 ICeGaN™ 650 V 氮化镓产品（H2系列）。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点，过压稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件一样，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管可以使用商用工业栅极驱动器轻松驱动。最后，与硅器件相比，ICeGaN HEMT 的 Q_G 低 10 倍，Q_OSS 低 5 倍。这大大降低了开关损耗，并相应减小了尺寸和重量。

 
关于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。欲了解更多信息，请访问 https://camgandevices.com/zh/。